特許
J-GLOBAL ID：200903004574941009
多溝性表面を有するシリコン基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
清水 初志
, 橋本 一憲
, 刑部 俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-075583
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268357
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】量子細線とみなしうる程度に高い空隙率のシリコン表層部を有するシリコン基板を、脱フッ化水素プロセスにより製造する方法の提供。【解決手段】シリコン基板の少なくとも一部に金属被膜を均一に被着する工程、該被膜を被着したシリコン基板を少なくとも塩酸と硝酸を含む処理液に浸漬し金属被膜が被着された表面をエッチングする工程、所定時間後に該シリコン基板を該処理液から回収する工程、微細溝が略均一に分布する領域を残して残部を切除する工程を少なくとも含むことを特徴とする、高空隙率表層部を有するシリコン基板の製造方法およびその製法によって製造された高空隙率表層部を有するシリコン基板。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板の少なくとも一部に金属被膜を均一に被着する工程、該被膜を被着したシリコン基板を少なくとも塩酸と硝酸を含む処理液に浸漬し金属被膜が被着された表面をエッチングする工程、所定時間後に該シリコン基板を該処理液から回収する工程、微細溝が略均一に分布する領域を残して残部を切除する工程を少なくとも含むことを特徴とする、高空隙率表層部を有するシリコン基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD30
, 5F043FF01
, 5F043GG10
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
