2層積層膜およびこれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次 , 高畑ちより
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-085066
公開番号（公開出願番号）：特開2008-242247
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】リフトオフによる蒸着および/またはスパッタ膜の形成方法に関し、基板表面に、ライン/スペースが10μm/10μm以下のような微細パターンにおいても、アンダーカットがパターン間の下部で繋がらないようにアンダーカット形状を制御することが可能なレジストパターンを、1回の露光および現像で得て、バリのない製膜層を容易に形成することができる2層レジスト膜およびこれを形成するパターン形成方法を提供する。【解決手段】特定の樹脂組成物1と特定のポジ型感放射線性樹脂組成物2を基板表面に塗布して2層積層膜を形成し、一回の露光により2層積層膜からなるレジストに断面がアンダーカット形状をした微細パターンを形成し、次にこれをマスク材として有機あるいは無機薄膜等を蒸着および/またはスパッタし、リフトオフすることで所望の形状を有するパターンを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される構造単位を有する重合体および(C)溶剤を含有する樹脂組成物1から得られる下層(レジスト層I)と、 (D)フェノール性水酸基を有する重合体、(E)キノンジアジド基含有化合物および(G)溶剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物2から得られる上層(レジスト層II)とからなることを特徴とする2層積層膜。

IPC (5件)：

G03F 7/095 , G03F 7/26 , H01L 21/027 , G03F 7/022 , G03F 7/004

FI (8件)：

G03F7/095 , G03F7/26 511 , H01L21/30 502R , H01L21/30 570 , H01L21/30 573 , G03F7/022 , G03F7/004 504 , G03F7/004 501

Fターム (27件)：

2H025AA03 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE01 , 2H025CB15 , 2H025CB16 , 2H025CB21 , 2H025CB45 , 2H025DA11 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096AA28 , 2H096BA10 , 2H096EA02 , 2H096EA06 , 2H096GA08 , 2H096HA28 , 2H096KA03 , 2H096KA06 , 2H096KA13 , 5F046LA18 , 5F046NA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

2層積層膜およびこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-329851 出願人：JSR株式会社

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