特許
J-GLOBAL ID：200903043765378512

2層積層膜およびこれを用いたパターン形成方法

発明者：
太田 克

太田 克 について

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伊藤 淳史

伊藤 淳史 について

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望月 勇

望月 勇 について

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猪俣 克巳

猪俣 克巳 について

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岩永 伸一郎

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出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329851
公開番号（公開出願番号）：特開2003-287905
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 リフトオフによる蒸着および/またはスパッタ膜の形成方法に関し、基板表面にバリのない製膜層を容易に形成することができる2層レジスト膜およびこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 ポジ型感放射線性樹脂組成物1とポジ型感放射線性樹脂組成物2を塗布し2層積層膜を形成し、一回の露光により2層積層膜からなるレジストに断面がアンダーカット形状をした微細パターンを形成し、次にこれをマスク材として有機あるいは無機薄膜等を蒸着および/またはスパッタし、リフトオフすることで所望の形状を有するパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
(A)水酸基および/またはカルボキシル基を有するラジカル重合体、(B)キノンジアジド基含有化合物および(C)溶剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物1から形成されたレジスト膜[I]と、(D)フェノール性水酸基を有する重合体、(E)キノンジアジド基含有化合物および(F)溶剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物2から形成されたレジスト膜[II]とからなることを特徴とする2層積層膜。
IPC (4件)：
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 5/60 ,  G11B 21/21 101
FI (5件)：
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 5/60 B ,  G11B 5/60 C ,  G11B 21/21 101 L
Fターム (9件)：
2H096AA30 ,  2H096BA10 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096HA28 ,  5D042NA02 ,  5D042PA10 ,  5D042RA02 ,  5D042SA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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