特許

J-GLOBAL ID：200903004586260627

電界効果トランジスタ

発明者： ルイケン,リヒャルト ヨハネス ,  シュレッサー,ティル ,  ハネダー,トーマス ペーター ,  ヘンライン,ヴォルフガング ,  クロイプル,フランツ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (4件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  圓谷 徹 ,  金子 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-507461
公開番号（公開出願番号）：特表2004-503097
出願日： 2001年07月03日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

電界効果トランジスタは、ソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を形成するナノワイヤーを備えている。ゲート領域を形成するナノチューブは、第1ナノチューブから少し離れて配置されている。または、上記ゲート領域を形成するナノチューブは、ナノチューブ間のトンネル電流をほぼ無くすことができるように、かつ、電圧を第2ナノチューブに印加することによって、電界効果を用いて第1ナノチューブのチャネル領域の導電率を制御できるように配置されている。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタのソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を形成し、半導性、および/または、金属的に導電性であるナノワイヤーと、 電界効果トランジスタのゲート領域を形成し、半導性、および/または、金属的に導電性である少なくとも1つのナノチューブとを備え、 上記ナノワイヤーおよび上記ナノチューブは、ナノワイヤーとナノチューブとの間のトンネル電流をほぼ無くすことができ、かつ、電圧をナノチューブに印加することによって生ずる電界効果を用いて、ナノワイヤーのチャネル領域の導電率を制御できるように、互いに距離を保って配置されているか、または調整されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  B82B1/00 ,  H01L29/06 601N

Fターム (22件)：

5F110AA01 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110DD30 ,  5F110EE01 ,  5F110EE21 ,  5F110EE28 ,  5F110EE29 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG21 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ナノ構造デバイス及び装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-601693   出願人：クラウソンジョセフイージュニア