特許
J-GLOBAL ID：200903089470770720
ナノ構造デバイス及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯塚 雄二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-601693
公開番号（公開出願番号）：特表2002-538606
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：
【要約】【課題】 ナノデバイスが開示され、ゲーティング部材150、153'-157が、導電性ナノチューブ150をクロスするか、あるいは、導電性ナノチューブ(153'-157)をほぼ取り囲むかのいずれかを行うことが可能となる。【解決手段】 疑似P型チャネル・ナノスイッチ構成(150-151-152-153、並びに、擬似CMOSナノインバータ170-171-173-174-177-179が開示され、ナノマルチバイブレータ170-171-174-179-170'-171'-174'-179'と、ナノマルチバイブレータ周波数分割チェーン構成174-190-190'-192-193とが開示され、これらはサブピコ秒の範囲で作動する。疑似P型チャネル拡張機能モード・パワー・ナノスイッチ・デバイス(259、259')が開示され、該デバイスは、RC時定数補償方式(247i、241i)を用いて好適に使用され、パワー・ナノスイッチ全体(259、259)にわたってほぼ同時にスイッチングが行われる。本発明を利用するナノチューブの分離およびアラインメント用装置(300、300')、並びに、改善された原子顕微鏡用プローブ(281-282-283-284-285-286-287、291-292-293-294-295-297-298)とヘッド(310)が開示される。
請求項（抜粋）：
ナノデバイスであって、 分離された領域に電位差が印加されたとき、電流の伝導が可能な少なくとも第1のナノチューブと、 前記少なくとも第1のナノチューブ内で前記伝導電流を制御するための、第1のロケーションにおける、前記少なくとも第1のナノチューブと関連する少なくとも第1のゲーティング構造であって、前記伝導電流を制御するために前記少なくとも第1のゲーティング構造にゲーティング電位が印加されたとき、前記少なくとも第1のゲーティング構造と前記少なくとも第1のナノチューブとが、それらの間に、前記ゲーティング電位を維持できるほど十分な第1の障壁を備えるように構成された第1のゲーティング構造と、を有し 前記少なくとも第1のゲーティング構造が、 a.前記少なくとも第1のナノチューブに対してほぼ横方向にかつ前記少なくとも第1のナノチューブを横切り、かつ、前記第1のナノチューブと第2のナノ構造との間に前記第1の障壁を備える第2のナノ構造と、 b.前記少なくとも第1のナノチューブの少なくとも第1部分をほぼ取り囲み、かつ、前記第1のナノチューブの少なくとも第1部分と第3のナノ構造との間に前記第1の障壁を備える第3のナノ構造との、a.とb.のうちの少なくとも一方をさらに有することを特徴とするナノデバイス。
IPC (3件)：
H01L 29/06 601
, B82B 1/00
, B82B 3/00
H01L 29/06 601 N
, B82B 1/00
, B82B 3/00
