特許
J-GLOBAL ID：200903004596489347
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083346
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297451
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 金線等でボンディングして半導体ペレットと電極とを結線する金線等でボンディングして半導体ペレットと電極とを結線するのではなく、電極層が薄膜層を介して直接半導体ペレット上に形成された半導体装置を提供する。【構成】 p-n接合(6)の形成された半導体ペレット(2)を備えた半導体装置において、半導体ペレット(2)のp型面(5)とn型面(3)の各々を覆う導電性の薄膜層(7、8)と、この薄膜層(7、8)の上に形成された電極層(9、10)と、半導体ペレット(2)の側面にこの側面を囲むように形成された光透過性のガラス層(11)とを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
p-n接合の形成された半導体ペレットを備えた半導体装置において、前記半導体ペレットのp型面とn型面の各々を覆う導電性の薄膜層と、この薄膜層の上に形成された電極層と、前記半導体ペレットの側面にこの側面を囲むように形成された光透過性のガラス層とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/60 321
, H01L 31/00
