パワーモジュール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058676
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250910
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】電磁シールド効果に優れ、外部からのノイズに対して影響を受けにくく、かつ外部へのノイズ源ともなりにくいパワーモジュールを得る。【解決手段】絶縁基板5は、支持板2に固定されたヒートシンク3の上面上に、半田4を介して接合されている。ヒートシンク3の底面上には、直流コンデンサ16が接着により固定されている。支持板2には、制御用IC13が搭載された制御基板11が固定されている。また、支持板2には、複数の電極10と、直流側電極兼冷媒入出口9と、制御用コネクタ15とが配設されている。ケース1は支持板2の周縁部に固定され、支持板2とともに絶縁基板5、制御基板11、ヒートシンク3、及び直流コンデンサ16の周囲を覆っている。ケース1及び支持板2はともに導電性を有している。

請求項（抜粋）：

パワー半導体素子が搭載された主面を有する絶縁基板と、前記パワー半導体素子を制御するための制御用ICが搭載された制御基板と、前記絶縁基板及び前記制御基板が固定された、導電性の支持板と、前記支持板の周縁部に固定され、前記支持板とともに前記絶縁基板及び前記制御基板の周囲を覆う導電性のケースとを備えるパワーモジュール。

IPC (11件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/00 , H01L 23/04 , H01L 23/06 , H01L 23/20 , H01L 23/22 , H01L 23/44 , H01L 23/473 , H05K 7/20 , H05K 9/00

FI (12件)：

H01L 23/00 B , H01L 23/04 A , H01L 23/06 B , H01L 23/20 , H01L 23/22 , H01L 23/44 , H05K 7/20 L , H05K 7/20 M , H05K 7/20 P , H05K 9/00 C , H01L 25/04 C , H01L 23/46 Z

Fターム (21件)：

5E321AA02 , 5E321AA11 , 5E321GG01 , 5E321GG05 , 5E321GH03 , 5E321GH07 , 5E322AA05 , 5E322AB02 , 5E322EA11 , 5E322FA01 , 5F036AA01 , 5F036BA03 , 5F036BA05 , 5F036BA23 , 5F036BA24 , 5F036BB03 , 5F036BB21 , 5F036BC06 , 5F036BC22 , 5F036BD01 , 5F036BD11

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-139340 出願人：富士電機株式会社
トランジスタモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-039649 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-096428 出願人：株式会社東芝

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