特許

J-GLOBAL ID：200903004627245662

太陽電池

発明者： 高本 達也 ,  池田 英治
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302297
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162659
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 高変換効率、高起電圧の太陽電池の新規な構造を提供する。【構成】 窓層44、エミッタ層43、ベース層42、裏面電界層(BSF層)41を少なくとも備えるInGaP系太陽電池セルにおいて、BSF層41の不純物密度を1〜6×1018cm-3とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型のエミッタ層と、該エミッタ層の下部に形成された第2導電型のベース層と、該ベース層の下部に形成された第2導電型の裏面電界層(以下BSF層という)とを少なくとも備える化合物半導体太陽電池であって、該BSF層の不純物密度が1〜6×1018cm-3であることを特徴とする太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-127114   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭63-261882
  
• 特開昭63-261882