特許

J-GLOBAL ID：200903004627614463

面発光型半導体レーザ素子

発明者： 岩井 則広 ,  横内 則之 ,  品川 達志
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235759
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051642
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 保護膜に起因する応力を低減して、素子寿命の長い面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本面発光型半導体レーザ素子は、GaAs基板12上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。そして、レーザ光に対して透明で、かつ膜厚が10nm以上λ/4n(λ=発振波長、n=屈折率)以下の範囲の誘電体膜からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。

請求項（抜粋）：

基板上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を放射する面発光型半導体レーザ素子において、レーザ光に対して透明で、かつ膜厚が10nm以上λ/4n(λ=発振波長、n=保護膜の屈折率)以下の範囲の誘電体膜からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられていることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

Fターム (7件)：

5F073AA07 ,  5F073AA73 ,  5F073AA84 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-208585
  
• 特開平4-208585
  
• 面発光レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-339121   出願人：日本電信電話株式会社, エヌティティエレクトロニクス株式会社
• 特開平4-208585