面発光レーザ

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339121
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164982
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】面発光レーザが、より安定してレーザ発振できるようにする。【解決手段】 DBR107上に、不純物としてZnをドープしたp形のInGaPからなる厚さ64nmの保護層108を備える。この保護層108は、光学長がレーザの発振波長λの1/4となっている。

請求項（抜粋）：

GaAsからなる基板上に形成された第1導電形を有する第1の分布型ブラッグ反射鏡と、この第1の分布型ブラッグ反射鏡上に形成された活性層と、この活性層上に形成された第2導電形を有する第2の分布型ブラッグ反射鏡と、この第2の分布型ブラッグ反射鏡上に形成された第2導電形のInGaPからなる保護層と、この保護層上に部分的に形成されたGaAsからなるオーミックコンタクト層と、このオーミックコンタクト層にオーミック接合して形成された金属からなる上部電極と、前記基板裏面にオーミック接合して形成された金属からなる下部電極とを備え、前記第1の分布ブラッグ反射鏡は、第1導電形のAlGaAsからなる第1の半導体層とこの第1の半導体層および異なるアルミニウム組成を有して前記第1の半導体層より高い屈折率の第1導電形のAlGaAsからなる第2の半導体層とが交互に積層され、前記第2の分布ブラッグ反射鏡は、第2導電形のAlGaAsからなる第3の半導体層とこの第3の半導体層および異なるアルミニウム組成を有して前記第3の半導体層より高い屈折率の第2導電形のAlGaAsからなる第4の半導体層とが交互に積層され、その最上層には、前記第3の半導体層が配置され、前記第1〜第4の半導体層および前記保護層の光学長は、前記活性層より得られる発振光の波長の1/4に形成されたことを特徴とする面発光レーザ。

Fターム (9件)：

5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AB05 , 5F073AB17 , 5F073BA01 , 5F073CA04 , 5F073CB10 , 5F073DA22 , 5F073DA30

引用特許：

審査官引用 (5件)

面発光型半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-012541 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開平2-298083
波長制御型面発光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-135985 出願人：古河電気工業株式会社

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