半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327597
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163333
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】素子容量を低減すると共に、簡単に製造できるようにする。【解決手段】開示される半導体装置は、n+層52及びn-エピタキシャル層53が順次形成された基板51と、n-エピタキシャル層53の表層部に形成された8角環状のp+反転層55と、p+反転層55の中央孔部及びその内縁部に形成された、その拡散深さがp+反転層55の拡散深さよりも浅いp+層56と、p+反転層55の中央孔部及びその内縁部に形成された、p+層56よりサイズが大きいn+ソース層57とを備えてなる。

請求項（抜粋）：

第1の第1導電型高濃度半導体層及び第1導電型低濃度エピタキシャル層が順次形成された基板と、前記第1導電型低濃度エピタキシャル層の表層部に形成された環状の第1の第2導電型高濃度半導体層と、前記第1の第2導電型高濃度半導体層の中央孔部及びその内縁部に形成された、その拡散深さが前記第1の第2導電型高濃度半導体層の拡散深さよりも浅い第2の第2導電型高濃度半導体層と、前記第1の第2導電型高濃度半導体層の中央孔部及びその内縁部に形成された、前記第2の第2導電型高濃度半導体層よりサイズが大きい第2の第1導電型高濃度半導体層とを備えてなることを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

縦型MOSトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-013136 出願人：山形日本電気株式会社, 株式会社セミコンダクターズニイノ
縦型電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-317025 出願人：日本電気株式会社
特開昭61-084864

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