特許
J-GLOBAL ID:200903004660615831
ポリチオフェン電子デバイス
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
吉田 研二
, 石田 純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-321630
公開番号(公開出願番号):特開2008-153667
出願日: 2007年12月13日
公開日(公表日): 2008年07月03日
要約:
【課題】酸素に曝露されても、周囲条件下で一定期間実質的に劣化せず、安定である電気デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイスは、構造式(I)、 式中、Xは、OまたはNR′の一つであり、mは、メチレンの数を表し、Mは、共役部分であり、RおよびR′は、水素、適当な炭化水素および適当なヘテロ原子含有基の少なくとも一つからなる群から選ばれ、aは、3置換チオフェン単位の数を表し、bは、共役部分の数を表し、nは、高分子の繰り返し単位の数を表す、で構成される半導体を含む。【選択図】なし
請求項(抜粋):
構造式(I)、
IPC (4件):
H01L 51/30
, H01L 51/05
, H01L 29/786
, C08G 61/12
FI (4件):
H01L29/28 250G
, H01L29/28 100A
, H01L29/78 618B
, C08G61/12
Fターム (48件):
4J032BA04
, 4J032BA05
, 4J032BB04
, 4J032BB05
, 4J032BB06
, 4J032BB09
, 4J032BC03
, 4J032BD07
, 5F110AA01
, 5F110AA06
, 5F110AA14
, 5F110AA16
, 5F110AA28
, 5F110BB01
, 5F110BB03
, 5F110BB05
, 5F110BB10
, 5F110BB20
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE42
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF05
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110NN02
引用特許:
引用文献:
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