ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003065
公開番号（公開出願番号）：特開2003-261655
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】環境酸素によるドーピングを起こしにくく、溶液処理によって経済的に加工可能な半導体ポリマーを用いたデバイスを提供する。【解決手段】下記式のポリチオフェンを含むエレクトロニックデバイスである。【化1】式中、Rは側鎖を示し、mは置換基Rの数を示し、Aは二価結合基であり、x、y、及びzはそれぞれモノマーセグメント中における、Rm置換チエニレン、非置換チエニレン、及び二価結合基Aの数を示し、zは0又は1であり、nはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数又は重合度を示す。

請求項（抜粋）：

ポリチオフェンを含むエレクトロニックデバイスであって、前記ポリチオフェンは下記の構造式を持ち、【化1】式中、Rは側鎖を示し、mは置換基Rの数を示し、Aは二価結合基であり、x、y、及びzはそれぞれモノマーセグメント中における、Rm置換チエニレン、非置換チエニレン、及び二価結合基Aの数を示し、zは0又は1であり、nはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数又は重合度を示すことを特徴とするエレクトロニックデバイス。

IPC (3件)：

C08G 61/12 , H01L 29/786 , H01L 51/00

FI (5件)：

C08G 61/12 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 617 M , H01L 29/28

Fターム (38件)：

4J032BA04 , 4J032BB01 , 4J032BC03 , 4J032BD07 , 4J032CG01 , 5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第6,150,191号明細書
米国特許第6,107,117号明細書
米国特許第5,969,376号明細書

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審査官引用 (5件)

有機薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-331398 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-003066 出願人：ゼロックス・コーポレーション
ポリチオフェン類を用いたデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-006210 出願人：ゼロックス・コーポレーション

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引用文献：

審査官引用 (2件)

The Journal of Physical Chemistry, 19950309, 第99巻第10号, 3218-3224頁
Synthetic Metals, 1995, 第71巻, 2085-2086頁

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