酸化物の結晶成長方法および酸化物積層構造

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084921
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281494
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】酸化セリウムなどの希土類酸化物を従来よりも低い成長温度で(001)面方位のシリコン基板上に(110)面方位で良好にエピタキシャル成長させ、エピタキシャルな希土類酸化物(110)/シリコン(001)構造を実現する。【解決手段】 (001)面方位のSi基板1の表面を2×1、1×2の表面再構成によるダイマー構造とし、このSi基板1上に、酸化性ガスを含む雰囲気中で少なくとも一種以上の希土類元素からなる原料を用いて立方晶系または正方晶系の希土類酸化物、例えばCeO2 膜2を(110)面方位にエピタキシャル成長させる。この成長の際には、Si基板1の表面に酸化性ガスの供給を開始してから少なくとも一種以上の希土類元素からなる原料の供給を行う。

請求項（抜粋）：

(001)面方位のシリコン基板の表面を2×1、1×2の表面再構成によるダイマー構造とする工程と、酸化性ガスを含む雰囲気中で少なくとも一種以上の希土類元素からなる原料を用いて上記シリコン基板上に立方晶系または正方晶系の希土類酸化物を(110)面方位にエピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とする酸化物の結晶成長方法。

IPC (9件)：

C30B 29/16 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

C30B 29/16 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (32件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB03 , 4G077BB10 , 4G077DA05 , 4G077EA01 , 4G077EA07 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE04 , 4G077EE06 , 4G077EF01 , 4G077EH01 , 4G077FE02 , 4G077FE11 , 4G077FE19 , 4G077GA03 , 4G077GA06 , 4G077HA06 , 5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AG26 , 5F038AC14 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F083FR06 , 5F083GA27 , 5F083HA08 , 5F083JA16 , 5F083JA17 , 5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-214728 出願人：旭化成工業株式会社, 垂井康夫
結晶性酸化物誘電体薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびそれを用いた電子素子およびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-262697 出願人：日産自動車株式会社

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