特許

J-GLOBAL ID：200903004666089686

シリコンウエーハ表面の処理方法

発明者： 高久 敏明 ,  石井 洋光 ,  高松 広行
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090598
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260328
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 塩酸を使用せずに、短い時間で、塩酸/過酸化水素水溶液で形成される自然酸化膜と同程度の厚さ、清浄さの自然酸化膜をシリコンウエーハ表面に均一に形成する。【解決手段】 シリコンウエーハをフッ酸で処理した後、シリコンウエーハをオゾン水で処理してシリコンウエーハ表面に自然酸化膜を形成させることを特徴とする、シリコンウエーハ表面に多結晶シリコン膜を形成する前のシリコンウエーハ表面の処理方法。

請求項（抜粋）：

シリコンウエーハをフッ酸で処理した後、シリコンウエーハをオゾン水で処理してシリコンウエーハ表面に自然酸化膜を形成させることを特徴とする、シリコンウエーハ表面に多結晶シリコン膜を形成する前のシリコンウエーハ表面の処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/316 U

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-190130
  
• 特開平4-113620
  
• 半導体シリコンウェーハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-205321   出願人：信越半導体株式会社
• 特開昭62-198127