特許
J-GLOBAL ID：200903004666391242
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145621
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335647
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置において、上下配線の接続部でエレクトロマイグレーション耐性を向上させると共に高温下でのワイヤボンディング部のせん断強度低下を防ぐ。【構成】 1層目の配線層14A及びパッド層14Bを覆って層間絶縁膜16を形成した後、膜16に接続孔16a,16bを設ける。層14A,14Bは、いずれもAl合金膜を主体として構成され、TiN等の反射防止膜を最上層として有する。各々Al合金からなる2層目の配線層18A及びパッド層18Bをそれぞれ層14A及び14Bに対応して形成した後、保護絶縁膜20を形成し、膜20に接続孔20bを設ける。層18B上にAl合金からなるパッド層22Bを設け、層18B,22Bの合計厚さを例えば1.4μmにする。18B,22Bの積層にAuワイヤをボンディングする。高温放置では、ボンディング部に層18B,22BからAlが十分に供給される。
請求項（抜粋）：
多層配線構造を有する半導体装置であって、該多層配線構造は、各々最も上の配線レベルの下の配線レベルに形成された第1の配線層及び第1のパッド層であって、いずれもAl又はAl合金膜を主体として構成されると共に反射防止膜を最上層として有するものと、前記第1の配線層及び前記第1のパッド層を覆って形成された層間絶縁膜であって、前記第1の配線層の一部及び前記第1のパッド層の中央部にそれぞれ対応した第1及び第2の接続孔を有するものと、最も上の配線レベルに形成された第2の配線層であって、Al又はAl合金膜で構成されると共に前記第1の接続孔を介して前記第1の配線層に接続されているものと、前記第2の接続孔に対応して前記第1のパッド層の上に前記第2の配線層より厚く形成された1又は複数の第2のパッド層であって、いずれもAl又はAl合金膜で構成されているものとを備え、前記第2のパッド層にAuワイヤをボンディングするようになっている半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/60 301
, H01L 21/82
H01L 21/88 T
, H01L 21/82 P
