特許

J-GLOBAL ID：200903004669974885

窒化化合物半導体素子及びその製造方法

発明者： 山口 敦史 ,  砂川 晴夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347839
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190059
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 プロセスが容易で特性の優れた窒化化合物半導体素子、及び該素子の製造方法を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる1種の層、あるいはこれらの中から選ばれる2種以上の混晶の層を有する窒化化合物半導体素子であって、(0001)面以外の面方位のウルツ鉱構造を有する窒化ガリウム系半導体基板を有し、該半導体基板が、窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる1種の窒化ガリウム系半導体、あるいはこれらの中から選ばれる2種以上の混晶の窒化ガリウム系半導体からなることを特徴とする窒化化合物半導体素子。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる1種の層、あるいはこれらの中から選ばれる2種以上の混晶の層を有する窒化化合物半導体素子であって、(0001)面以外の面方位のウルツ鉱構造を有する窒化ガリウム系半導体基板を有し、該半導体基板が、窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる1種の窒化ガリウム系半導体、あるいはこれらの中から選ばれる2種以上の混晶の窒化ガリウム系半導体からなることを特徴とする窒化化合物半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/40 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/12 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/40 Z ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-213676   出願人：ローム株式会社