半導体発光素子の製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213676
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116090
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【課題】格子定数の不整合や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 (a)半導体単結晶基板1上にチッ化ガウリウム系半導体層3を成膜する工程、(b)前記半導体単結晶基板を除去する工程、および(c)該半導体結晶基板を除去して残余した前記チッ化ガリウム系化合物半導体層を新たな基板として、少なくともn型層およびp型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体単結晶層をさらに成長する工程を有する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体単結晶基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体層を成膜する工程、(b)前記半導体単結晶基板を除去する工程、および(c)該半導体結晶基板を除去して残余した前記チッ化ガリウム系化合物半導体層を新たな基板として、少なくともn型層およびp型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体単結晶層をさらに成長する工程を有する半導体発光素子の製法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335255 出願人：天野浩, 赤崎勇, パイオニア株式会社, 豊田合成株式会社
量子井戸型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-314770 出願人：旭化成工業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-013393 出願人：シャープ株式会社

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