薄膜トランジスタおよび液晶表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-121392
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326764
出願日： 1994年06月02日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】エッジ電導の影響を抑制できる薄膜トランジスタを提供し、さらにこのエッジ電導の影響を抑制できる薄膜トランジスタを用いて高性能の液晶表示装置を提供する。【構成】半導体薄膜12は、Xe-Clエキシマレーザー光照射により多結晶化した多結晶シリコン薄膜によって形成され、ゲート電極14と重なり合った部分がチャンネル部12bとして構成されている。ゲート電極14に切欠き14bを形成することにより、チャンネル部12bは、パターンエッジ12a近傍でのチャンネル長Leが、それより内側の部分でのチャンネル長Lより長くなっている。

請求項（抜粋）：

基板上において一部が半導体薄膜と重なるように積層配置されたゲート電極を有し、前記ゲート電極のゲート長を、前記半導体薄膜のパターンエッジと重なる部分で長くし、かつ前記パターンエッジと重なる部分より内側で短くしたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 H

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭63-173369
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071102 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (2件)

特開昭63-173369
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071102 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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