特許
J-GLOBAL ID：200903004685944031
ノッチが設けられたウエハの粒子解析
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207688
公開番号（公開出願番号）：特開平7-181125
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 SEM等の光倍率のイメージ装置が用いられた場合に、ウエハ上の汚染粒子の位置検出を容易にする方法を提供する。【構成】 レーザー走査装置等の走査装置で、(i) ウエハセンタの位置と、(ii)ウエハノッチの位置と、(iii) ウエハ上の汚染粒子の位置とが属する走査装置座標を求めるために、ノッチが設けられた半導体ウエハを走査し、次に、SEM等のイメージ装置で、ウエハノッチとウエハセンタとを見出だし、それらの推定イメージ装置座標を求める。次に、ウエハノッチとウエハセンタとの走査装置座標とイメージ装置座標とに基づいて、走査装置の座標系とイメージ装置の座標系との間の座標変換のための推定変換パラメータが算出される。最後に、その推定変換パラメータを用いて、ウエハ上の粒子の走査装置座標が推定イメージ装置座標に変換される。この推定イメージ装置座標によって粒子位置が容易に特定できるようになる。
請求項（抜粋）：
ノッチが設けられた半導体ウエハ上の粒子を位置検出する方法において、(a) (i) ウエハセンタの位置と、(ii)ウエハノッチの位置と、(iii) ウエハ上の汚染粒子の位置とに関連する走査装置座標を得るために、走査装置でノッチが設けられた半導体ウエハを走査する段階と、(b) イメージング装置で前記ウエハノッチを見出だし、前記ウエハノッチの推定イメージング装置座標を得る段階と、(c) イメージング装置で前記ウエハセンタを見出だし、前記ウエハセンタの推定イメージング装置座標を得る段階と、(d) 前記ウエハノッチ及び前記ウエハセンタの前記走査装置座標及び前記推定イメージング装置座標に基づいて、前記走査装置の座標系と前記イメージング装置の座標系との間の座標変換のための推定変換パラメータを算出する段階と、(e) 前記推定変換パラメータを用いて前記ウエハ上の粒子の前記走査装置座標を前記推定イメージング装置座標に変換する段階とを備える粒子位置検出方法。
IPC (3件)：
G01N 15/10
, G01N 15/00
, H01L 21/66
