特許
J-GLOBAL ID：200903004694489908
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002546
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173231
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【目的】 新規なダブルヘテロ構造の発光素子の構造を提供することにより、窒化ガリウム系化合物半導体層を面内均一に発光させ、発光素子の発光出力を向上させると共に、発光素子のVfを低下させ、発光効率を向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、n型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層、および/または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層に接近するにつれて小さくなるように調整された層を有しており、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層は、キャリア濃度の大きいp<SP>+</SP>型GaN層と、p<SP>+</SP>型GaN層よりもキャリア濃度の小さいp型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0≦Z<1)層とを有し、前記p+GaN層が正電極と接するコンタクト層とされている。
請求項（抜粋）：
n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、n型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層、および/または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層に接近するにつれて小さくなるように調整された層を有しており、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層は、キャリア濃度の大きいp<SP>+</SP>型GaN層と、p<SP>+</SP>型GaN層よりもキャリア濃度の小さいp型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0≦Z<1)層とを有し、前記p+GaN層が正電極と接するコンタクト層とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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