シリコンの異方性エッチングのための方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-513774
公開番号（公開出願番号）：特表2001-505001
出願日： 1998年08月19日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】交互に互いに連続する無関係に制御されるエッチング工程およびポリマー析出工程を用いてシリコン基板にミクロ構造およびナノ構造を異方性エッチングする方法を提供する。この場合、ポリマー析出工程の過程で堆積するポリマーの量は減少し、従ってミクロ構造およびナノ構造のアンダエッチングは回避される。

請求項（抜粋）：

プラズマ中で互いに交互に連続し、無関係に制御されるエッチング工程およびポリマー析出工程を用いてシリコン基板にミクロ構造およびナノ構造を異方性エッチングする方法において、堆積するポリマーの量がポリマー析出工程の過程で減少することを特徴とする、シリコン基板を異方性エッチングする方法。

引用特許：

出願人引用 (4件)

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審査官引用 (10件)

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