特許
J-GLOBAL ID：200903004702336890

カーボンナノチューブの製造方法

発明者：
畠 賢治

畠 賢治 について

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山田 健郎

山田 健郎 について

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平岡 樹

平岡 樹 について

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湯村 守雄

湯村 守雄 について

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飯島 澄男

飯島 澄男 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-253390
公開番号（公開出願番号）：特開2008-074647
出願日： 2006年09月19日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】比較的安価な材料よりなる基板を用い、シリコンウェハを用いた場合と同等な優れた特性を有するカーボンナノチューブを大量且つきわめて安価に製造できる技術を提供する。【解決手段】Ni20原子%以上を含有するNi基合金よりなる金属基板上に金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長(CVD)させる方法を用い、反応雰囲気下に複数のカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする。Ni20原子%以上を含有するNi基合金として、Ni-Fe、Ni-Cr及びNi-Fe-Crよりなる群から選ばれる1種の合金が好ましく用いられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Ni20原子%以上を含有するNi基合金よりなる金属基板上に金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長(CVD)させる方法を用い、反応雰囲気下に複数のカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (3件)：
C01B 31/02 ,  C22C 19/03 ,  C22C 19/05
FI (3件)：
C01B31/02 101F ,  C22C19/03 Z ,  C22C19/05 Z
Fターム (19件)：
4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AC16B ,  4G146AD05 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC41 ,  4G146BC42 ,  4G146BC44
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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