特許
J-GLOBAL ID:200903027606863102
垂直配向カーボンナノチューブの作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北村 欣一 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-221708
公開番号(公開出願番号):特開2001-048512
出願日: 1999年08月04日
公開日(公表日): 2001年02月20日
要約:
【要約】【課題】 基板上にカーボンナノチューブを直接作製すること、カーボンナノチューブの直径及び長さの平均値を制御すること、さらに、カーボンナノチューブを、基板上に又は基板上の任意の部位のみに選択的に、基板に対して垂直に配向して作製することを可能にする方法の提供。【解決手段】 プラズマCVD法により、メタン、エチレン、アセチレン等の炭素供給ガスと水素ガスとを導入ガスとして用い、Ni、Fe、Co又はこれらの金属の少なくとも2種類からなる合金の基板表面上に、カーボンナノチューブを基板表面に対して垂直方向に配向させて作製する。基板として、ガラス又はSiウェハー上に、前記金属からなる任意のパターンを形成したものを用いて上記CVD法を行い、このパターン部のみに選択的に、カーボンナノチューブを作製する。
請求項(抜粋):
プラズマCVD法により、基板表面に、カーボンナノチューブを基板表面に対して垂直方向に配向させて作製することを特徴とするカーボンナノチューブの作製方法。
IPC (3件):
C01B 31/02 101
, C23C 16/26
, C23C 16/511
FI (3件):
C01B 31/02 101 F
, C23C 16/26
, C23C 16/511
Fターム (12件):
4G046CA01
, 4G046CB00
, 4G046CB03
, 4G046CC06
, 4K030AA09
, 4K030AA10
, 4K030BA27
, 4K030BB01
, 4K030CA02
, 4K030DA04
, 4K030FA01
, 4K030LA11
引用特許:
引用文献:
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