半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177230
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012566
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】半導体チップの裏面とアイランドとのコンタクトを簡単な工程で安価に行う。【解決手段】耐圧が200V以上の樹脂封止型パワーMOSトランジスタでは、半導体チップ11の裏面電極を必要とせず、裏面に高濃度層8aを含む半導体基板8を直接、Agペーストからなる導電性接着剤12でアイランド3に接着することができる。

請求項（抜粋）：

パワーMOSトランジスタ機能を有する半導体チップを導電性接着剤を介してアイランド上に搭載して樹脂封止した半導体装置において、前記半導体チップはその裏面側に高濃度半導体層を露出し、前記導電性接着剤は銀ペーストであることを特徴とする半導体装置。

Fターム (10件)：

5F047AA11 , 5F047BA15 , 5F047BA23 , 5F047BA33 , 5F047BA53 , 5F047BB11 , 5F047BB16 , 5F047BC09 , 5F047BC37 , 5F047FA22

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-282141 出願人：株式会社東芝
特開平3-041742
特開平3-041742

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