成膜装置および成膜方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-370496
公開番号（公開出願番号）：特開2006-176822
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】同一の成膜装置で化学的成膜法とスパッタリング法とを行なう場合に、反応ガスによるターゲットの汚染を防止または抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供することを課題とする。【解決手段】上記薄膜の構成元素を主成分とするターゲットが配置され、このターゲットをスパッタリングするためにスパッタリングガスを導入するスパッタリングガス導入系と、上記構成元素を含む原料ガスを導入する原料ガス導入系と、この原料ガスと反応して基板上に上記薄膜を析出させる反応ガスを導入する反応ガス導入系とを備え、上記ターゲットが配置されている第1空間と、上記基板ホルダーが配置されている第2空間とを仕切る仕切手段を設けた薄膜装置およびこの薄膜装置を使用した成膜方法により、反応ガスによるターゲットの汚染を防止または抑制することができるようになった。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内の基板ホルダーに載置された基板上に薄膜を形成させる成膜装置であって、上記薄膜の構成元素を主成分とするターゲットが配置され、このターゲットをスパッタリングするためにスパッタリングガスを導入するスパッタリングガス導入系と、上記構成元素を含む原料ガスを導入する原料ガス導入系と、この原料ガスと反応して基板上に上記薄膜を析出させる反応ガスを導入する反応ガス導入系とを備え、上記ターゲットが配置されている第1空間と、上記基板ホルダーが配置されている第2空間とを仕切る仕切手段を設けたことを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , H01L 21/285 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (4件)：

C23C14/34 M , H01L21/285 C , H01L21/285 S , H01L21/88 R

Fターム (28件)：

4K029BD02 , 4K029CA04 , 4K029CA05 , 4K029DA04 , 4K029DA10 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104DD39 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104HH08 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP22 , 5F033WW01 , 5F033XX13 , 5F033XX34

引用特許：

出願人引用 (6件)

成膜方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-177848 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-110919
特公昭61-027462

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審査官引用 (5件)

特開平2-110919
特公昭61-027462
イオンビームスパツタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-101782 出願人：株式会社ニコン

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