特許

J-GLOBAL ID：200903004737837980

スパッタリングターゲットおよびそれを用いた酸化膜の製造方法

発明者： 鈴木 幸伸 ,  渡邊 光一 ,  石上 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-031909
公開番号（公開出願番号）：特開2005-220428
出願日： 2004年02月09日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】光学薄膜に好適なSi酸化膜等をスパッタ成膜するにあたって、Si酸化膜等の成膜コストの低減および成膜効率の向上を図る。【解決手段】Si、Ta、Nb、Zr、Hf、Mg、Ca、YおよびAlから選ばれる少なくとも1種の元素から実質的になるスパッタリングターゲットであって、60〜98%の範囲の相対密度を有する。さらに、Siから実質的になるスパッタリングターゲットは、酸素含有量が0.01〜1質量%の範囲、またビッカース硬さがHv300〜800の範囲とされている。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Si、Ta、Nb、Zr、Hf、Mg、Ca、YおよびAlから選ばれる少なくとも1種の元素から実質的になるスパッタリングターゲットであって、60〜98%の範囲の相対密度を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C14/34 ,  G02B1/11

FI (2件)：

C23C14/34 A ,  G02B1/10 A

Fターム (10件)：

2K009AA02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  4K029AA09 ,  4K029BA46 ,  4K029BC07 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 反射防止膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-335909   出願人：ソニー株式会社
• 酸化ニオブ焼結体とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-149144   出願人：京セラ株式会社