特許

J-GLOBAL ID：200903004750346627

半導体素子、半導体装置及びこれらの製造方法

発明者： 塚 本 達 彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050534
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247713
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の高周波特性を向上させる。【解決手段】 半導体素子内部に、p+型シリコン基板10とp+型エミッタ埋込領域14とp+型エミッタ引出領域20とからなるエミッタ導通部を形成する。そして、この半導体素子のp+型シリコン基板10をエミッタリードフレームERFにダイボンディングして、エミッタ電極EとエミッタリードフレームERFとを、このエミッタ導通部で電気的に接続する。これにより、エミッタ電極EとエミッタリードフレームERFとを接続するエミッタボンディングワイヤを廃止することができ、このエミッタボンディングワイヤにより生ずるインピーダンスを無くすことができるので、半導体装置の高周波特性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

複数の電極を有し、リードフレーム上に載置される、半導体素子であって、前記電極のうちの1つの電極と前記リードフレームとの間を電気的に接続する導通部を内部に形成することにより、前記1つの電極と前記リードフレームとを接続するボンディングワイヤを不要にしたことを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 23/48 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 23/48 S ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-108190   出願人：ローム株式会社
• 特開昭58-021372