特許
J-GLOBAL ID:200903004762732743
殊に点火に使用するための半導体回路装置およびその使用法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
矢野 敏雄
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-537197
公開番号(公開出願番号):特表2005-506707
出願日: 2002年09月30日
公開日(公表日): 2005年03月03日
要約:
本発明は、殊に点火に使用するための半導体回路装置に関するものであって、第1の主接続部(102)と第2の主接続部(101)と制御接続部(103)とを有する半導体パワースイッチ装置(100)が設けられており、第1の主接続部(102)と制御接続部(103)との間に接続された、前記第1の主接続部(202)に印加された外部の電圧(VA)をクランピングするためのクランピングダイオード装置(205a,205b)が設けられており、該クランピングダイオード装置(205a、205b)が、第1のクランピング電圧を有する第1の部分(205a)と、第2のクランピング電圧(VKL′)を有する第2の部分(205b)とを備えており、第2の部分(205b)が第1の部分(205a)に対して直列で接続されており、制御可能な半導体スイッチ装置(402,650)が設けられていて、該半導体スイッチ装置が、第1の部分(205a)を制御可能に橋絡するために、第1の部分(205a)に対して並列に接続されており、それによって、第1及び第2のクランピング電圧の合計電圧(VKL)又は、第1の主接続部(202)に印加された外部の電圧(VA)をクランピングするための第2のクランピング電圧(VKL′)が提供されるようになっており、半導体パワースイッチ装置(100)の所定の運転状態に基づいて、制御可能な半導体スイッチ装置(402)を制御するための制御回路(403)が設けられている。
請求項(抜粋):
殊に点火に使用するための半導体回路装置であって、
第1の主接続部(102)と第2の主接続部(101)と制御接続部(103)とを有する半導体パワースイッチ装置(100)が設けられており、
第1の主接続部(102)と制御接続部(103)との間に接続された、前記第1の主接続部(202)に印加された外部の電圧(VA)をクランピングするためのクランピングダイオード装置(205a,205b)が設けられており、
該クランピングダイオード装置(205a、205b)が、第1のクランピング電圧を有する第1の部分(205a)と、第2のクランピング電圧(VKL′)を有する第2の部分(205b)とを備えており、第2の部分(205b)が第1の部分(205a)に対して直列で接続されており、
制御可能な半導体スイッチ装置(402,650)が設けられていて、該半導体スイッチ装置が、第1の部分(205a)を制御可能に橋絡するために、第1の部分(205a)に対して並列に接続されており、それによって、第1及び第2のクランピング電圧の合計電圧(VKL)又は、第1の主接続部(202)に印加された外部の電圧(VA)をクランピングするための第2のクランピング電圧(VKL′)が提供されるようになっており、
半導体パワースイッチ装置(100)の所定の運転状態に基づいて、制御可能な半導体スイッチ装置(402)を制御するための制御回路(403)が設けられていることを特徴とする、殊に点火に使用するための半導体回路装置。
IPC (7件):
H01L29/78
, F02P3/04
, H01L21/822
, H01L27/04
, H02M1/00
, H03K17/24
, H03K17/56
FI (8件):
H01L29/78 657G
, H01L29/78 655C
, H01L29/78 657B
, F02P3/04 301B
, H02M1/00 D
, H03K17/24
, H01L27/04 H
, H03K17/56 Z
Fターム (45件):
3G019BA01
, 3G019EA17
, 3G019EA18
, 3G019FA05
, 3G019FA11
, 3G019FA13
, 3G019FA14
, 3G019KA11
, 3G019KC10
, 3G019KD20
, 5F038AZ08
, 5F038BH04
, 5F038BH05
, 5F038BH15
, 5F038DF01
, 5F038DF17
, 5F038EZ20
, 5H740AA04
, 5H740BA11
, 5H740MM02
, 5H740PP02
, 5H740PP03
, 5J055AX39
, 5J055BX16
, 5J055CX00
, 5J055DX09
, 5J055DX52
, 5J055DX72
, 5J055EX02
, 5J055EX07
, 5J055EY01
, 5J055EY10
, 5J055EY12
, 5J055EY13
, 5J055EY18
, 5J055EY21
, 5J055EZ16
, 5J055EZ62
, 5J055FX18
, 5J055FX37
, 5J055GX01
, 5J055GX04
, 5J055GX05
, 5J055GX07
, 5J055GX08
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
半導体素子の保護回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-312029
出願人:三菱電機株式会社
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