特許
J-GLOBAL ID：200903049100635660
半導体素子の保護回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312029
公開番号（公開出願番号）：特開平9-163583
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 IGBTの逆バイアス安全動作領域を有効に使い、クランプ素子やゲート抵抗にかかる負担を軽減する。【解決手段】 IGBT5の逆バイアス安全動作領域は、IGBT5の定格電流以下では許容電圧が高く、それ以上に電流が大きくなるにつれ、許容電圧が低下する特徴を持つ。そこで、IGBT5のコレクタ-ゲート間にクランプ素子10、11を少なくとも2個以上直列に接続し、その内1個のクランプ素子10を除く他のクランプ素子11に、並列にスイッチ素子12を設け、コレクタ電流を検出する手段13と、その検出された電流の値に応じて上記スイッチ素子を開閉するスイッチ制御装置14を設け、IGBT5のコレクタ電流が小さく定格電流程度の時には上記スイッチ素子12を開放し、IGBT5のコレクタ-ゲート間に全クランプ素子が接続されるようにし、IGBT5がクランプされる電圧を高くする。
請求項（抜粋）：
制御電極に入力される制御信号に応答して主電極間をオンオフする半導体素子の、その主電極の一方と前記制御電極との間に介挿されるとともに所定の基準電圧を超える電圧が印加されると導通するクランプ手段を備える半導体素子の保護回路において、主電極間を流れる電流の値に応じて上記クランプ手段の基準電圧を変化させるクランプ制御回路を備えたことを特徴とする半導体素子の保護回路。
IPC (6件)：
H02H 3/20
, H02H 7/00
, H02M 1/00
, H02M 1/06
, H02M 3/155
, H03K 17/08
H02H 3/20 A
, H02H 7/00 B
, H02M 1/00 F
, H02M 1/06 A
, H02M 3/155 C
, H03K 17/08 Z
