特許
J-GLOBAL ID：200903004768767026
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077032
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274155
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップ角部の低弾性率層においても配線できるようにして、配線設計の自由度と実装密度とが向上された半導体装置を提供する。【解決手段】 平面的にみた各角部に直線状に面取りされた面取り部21Aを有し、かつ外縁に斜面を有する低弾性率層20と、半導体チップ10の電極に接続されたパッド30と、パッド30から低弾性率層20の外縁と直交し低弾性率層20上にわたって延びる配線パターン31と、低弾性率層20上に設けられ配線パターン31に接続されたランド32と、ランド32以外を覆うように形成されたソルダーレジスト40と、ランド32上に設けられた金属ボール50とを備える。これにより、面取り部21Aにおいて配線パターン31が所定の幅と間隔とで形成されるので、配線設計の自由度と実装密度とが向上された半導体装置が実現される。
請求項（抜粋）：
主面に電極を有する半導体チップと、前記主面上に設けられ、前記電極の上に開口部を有する絶縁層と、前記電極に接続され、前記絶縁層の外縁を横切り、前記絶縁層の上を横方向へ延びるように設けられた金属配線とを備えるとともに、前記絶縁層の平面的にみた角部には該各角部が平面的にみて面取りされた面取り部が設けられており、前記金属配線は前記面取り部において該面取り部の外縁を横切るように延びていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 23/12
H01L 21/88 T
, H01L 23/12 L
