バンプ付き半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011306
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203906
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】バンプ付き半導体装置のチップの縮小を図る。【構成】半導体装置の電流の流れる活性領域の上に柔らかい絶縁膜8を介してバンプ14,15を設けることにより、従来チップの周辺部に設けていたパッドが不要になり、チップ1面積が縮小できる。また、上方からの衝撃に対する保護と、活性領域からの熱放散の効率化の効果も得られる。絶縁膜8として、ポリイミド樹脂を用いれば、その弾性率や、耐熱性が適している。更にポリイミド樹脂を塗布形成すれば、パターン形成時のアルカリの悪影響が避けられる。

請求項（抜粋）：