バンプ付き半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011306
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203906
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】バンプ付き半導体装置のチップの縮小を図る。【構成】半導体装置の電流の流れる活性領域の上に柔らかい絶縁膜8を介してバンプ14,15を設けることにより、従来チップの周辺部に設けていたパッドが不要になり、チップ1面積が縮小できる。また、上方からの衝撃に対する保護と、活性領域からの熱放散の効率化の効果も得られる。絶縁膜8として、ポリイミド樹脂を用いれば、その弾性率や、耐熱性が適している。更にポリイミド樹脂を塗布形成すれば、パターン形成時のアルカリの悪影響が避けられる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の電流が流れる活性領域上に柔らかい絶縁膜を介してバンプを有することを特徴とするバンプ付き半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/92 602 L , H01L 21/90 Q

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭57-087145
特開平1-209746
特開昭64-001257

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