特許
J-GLOBAL ID：200903004779406491
薄膜トランジスタパネルの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-271867
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116064
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、工程数を少なくし、また開口率を大きくする。【構成】 薄膜トランジスタ6の能動層となるポリシリコン薄膜7は、脱水素処理した後のアモルファスシリコン薄膜をエキシマレーザの照射により結晶化してなるものからなっている。このようなポリシリコン薄膜7では、アモルファスシリコン薄膜と比較してオフ電流を2桁程度小さくすることができる。この結果、ポリシリコン薄膜7のチャネル領域7aに光が照射されても、光照射によるオフ電流の増加率をかなり小さくすることができる。したがって、透明基板4とポリシリコン薄膜7との間に遮光膜を介在させなくても、正常に表示させることが可能となり、ひいては遮光膜を設けない分だけ工程数を少なくすることができる。また、遮光膜を設けていないので、開口率を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
透明基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成し、このアモルファスシリコン薄膜をアニールにより脱水素処理した後、エキシマレーザの照射により前記アモルファスシリコン薄膜を結晶化してポリシリコン薄膜とし、この後ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成し、これにより前記透明基板と前記ポリシリコン薄膜との間に遮光膜を介在させることなく前記透明基板上にトップゲート型の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 27/12
