特許

J-GLOBAL ID：200903004809548288

マイクロマシンの作製方法

発明者： 犬塚 肇 ,  松ヶ谷 和沖 ,  筈見 浩史
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-168790
公開番号（公開出願番号）：特開2001-347500
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】【課題】新規な手法により、基板の選択の自由度を増し、安価な基板の使用を可能にするとともに、段差の大きな構造体の作製を可能にするマイクロマシンの作製方法を提供する。【解決手段】高抵抗シリコン基板1の上に、絶縁層5と線路用導体や制御電極となるAu/Ti膜(2,3,4,12a,12b)を形成した後、その上に絶縁層6を形成する。基板1の上に、導電性を有する犠牲層としての銅膜20を形成する。フォトレジスト22を形成した後、Cu犠牲層20上を含む基板1上に、無電解メッキ法(無電解Ni-Pメッキ)によりアモルファスNi-P膜8を堆積する。Cu犠牲層20をエッチングにより除去してアモルファスNi-P膜8を梁構造にする。

請求項（抜粋）：

基板の上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上を含む前記基板上に無電解メッキ法によりアモルファス金属膜を堆積する工程と、前記犠牲層をエッチングにより除去して前記アモルファス金属膜を梁構造にする工程と、を備えたことを特徴とするマイクロマシンの作製方法。

IPC (4件)：

B81C 1/00 ,  C23C 18/32 ,  C23F 1/00 ,  H01H 59/00

FI (4件)：

B81C 1/00 ,  C23C 18/32 ,  C23F 1/00 Z ,  H01H 59/00

Fターム (18件)：

4K022AA02 ,  4K022AA31 ,  4K022AA41 ,  4K022BA04 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA35 ,  4K022CA28 ,  4K022DA01 ,  4K022EA03 ,  4K022EA04 ,  4K057WA12 ,  4K057WB03 ,  4K057WC05 ,  4K057WE08 ,  4K057WE23 ,  4K057WN01 ,  4K057WN06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 加速度センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-323414   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 電磁波シ-ルド材及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-222112   出願人：栃木県
• 特開平1-264618