半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068488
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266055
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】間接遷移型半導体材料によりレーザ発振を行うことができる半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 Si基板1上に酸化シリコン層2aを形成し、酸化シリコン層2a中にGeのイオン注入によりGe過飽和層3aを形成する。Ge過飽和層3aに可干渉光を2方向から照射するとともに、上記2方向を含む面に垂直な面内で可干渉光を2方向から照射し、酸化シリコン中での発光波長と等しい空間波長の直交する格子状の干渉縞を形成し、直交する干渉縞の交点の強度ピーク位置に光励起により十数nmの大きさのGeドット4を析出させる。同様にして、Geドット4を含む酸化シリコン層を順に積層することにより、複数のGeドット4からなる3次元のフォトニック結晶を構成する。

請求項（抜粋）：