LC素子及び半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：布施行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342846
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169920
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】製造が簡単であり、後工程における部品の組み付け作業を省略することができ、ICやLSIの一部として形成することが可能であり、特性を変更することができるLC素子及び半導体装置を提供すること。【構成】 LC素子100は、p-Si基板30の表面に直接形成された渦巻き形状の第2の電極26と絶縁層28を挟んで形成された渦巻き形状の第1の電極10とを含んでおり、これら第1及び第2の電極10,26のそれぞれがインダクタとして機能し、これらの間には分布定数的にキャパシタが形成される。したがって、第1の電極10を信号の入出力路として用いることにより良好な減衰特性が得られる。

請求項（抜粋）：

n領域あるいはp領域のいずれか一方の単一層が表面側に形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成された渦巻き形状の第1の電極と、渦巻き形状の前記第1の電極に対して、ほぼ同一平面内であってほぼ同心状で隣接して形成された渦巻き形状の第2の電極と、渦巻き形状の前記第1および第2の電極の少なくとも一方と、前記半導体基板との間に形成された絶縁層と、を備え、渦巻き形状の前記第1の電極と前記第2の電極のそれぞれによって形成されるインダクタと、これらの間に形成されるキャパシタとが分布定数的に存在し、渦巻き形状の前記第1の電極および前記第2の電極の少なくとも一方を信号入出力路として用いることを特徴とするLC素子。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H03H 7/01

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-016012
特開平2-299308
特開平1-176109

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