特許

J-GLOBAL ID：200903004832144178

インダクタ素子、トランス素子およびバラン素子

発明者： ▲よし▼川 嘉茂 ,  堀池 良雄 ,  横網代 義幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148804
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330816
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 小さな面積で大きなインダクタンス値が得られるようにする。【解決手段】 多層基板の1つの導体層に形成されたスパイラル形状の第1のコイルパターン5と、他の導体層に形成された第1のコイルパターン5に相対し、かつ反対巻きの第2のコイルパターン6のそれぞれの内側の端をスルーホール7で接続して構成する。

請求項（抜粋）：

2層以上の導体層をもつ多層基板の第1の導体層にスパイラル形状の第1のコイルパターンを形成し、前記第1の導体層と対面する第2の導体層に前記第1のコイルパターンと反対巻きのスパイラル形状の第2のコイルパターンを形成し、前記第1のコイルパターンの内側の端と前記第2のコイルパターンの内側の端をスルーホールで接続して構成したインダクタ素子。

IPC (2件)：

H01F 17/00 ,  H01F 19/00

FI (3件)：

H01F 17/00 B ,  H01F 17/00 D ,  H01F 19/00 Z

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-137503
  
• 薄膜トランス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-244786   出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平4-137503
  
• 薄膜トランス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-244786   出願人：富士電機株式会社