特許
J-GLOBAL ID：200903004837402604
炭化硅素半導体装置の電極形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175659
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012486
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 炭化硅素基板上に低抵抗で高温安定性をもつオーミック電極を形成すること。【解決手段】 炭化硅素基板1の電極を形成すべき領域に窒素インプラ領域3を形成し、その領域3の上面に窒化高融点金属電極6を形成し、その窒化高融点金属電極6の上面に炭化高融点金属電極9を形成し、全体をアニールして、各部分の結晶欠陥の回復、不純物の電気的特性の活性化、基板1、電極6、9の各々の界面の合金化を行う。炭化高融点金属電極9がオーミック電極として外部との配線に使用される。
請求項（抜粋）：
【請求項1】炭化硅素基板上のオーミック電極を形成すべき領域にn型又はp型不純物となる第1元素のイオン注入を行う第1工程と、該イオン注入領域の上面に前記第1元素を含む第1高融点金属化合物電極を形成する第2工程と、該第1高融点金属化合物電極の上面に第2元素を含む第2高融点金属化合物電極を形成する第3工程と、前記基板、前記第1高融点金属化合物電極、及び前記第2高融点金属化合物電極をアニールする第4工程とを具備し、前記第2高融点金属化合物電極を他との配線用のオーミック電極とすることを特徴とする炭化硅素半導体装置の電極形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
H01L 21/28 301 R
, H01L 21/28 301 F
4M104AA10
, 4M104BB33
, 4M104CC01
, 4M104DD26
, 4M104DD37
, 4M104DD79
, 4M104DD86
, 4M104FF13
, 4M104GG18
, 4M104HH15
