特許

J-GLOBAL ID：200903004854383788

薄膜多層配線基板

発明者： 福岡 義孝 ,  中沢 孝仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147381
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015138
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 良好なワイヤボンディング性を有し、信頼性の高いマルチチップモジュールなどを、歩留まりよく構成することが可能な薄膜多層配線基板の提供を目的とする。【構成】 支持基板1主面上に一体的に形成・配置された導体配線層およびポリイミド樹脂系絶縁層を交互に積層し、かつ上面の所定箇所にボンディングパッド2aが形設・配置された薄膜多層配線部2を具備して成る薄膜多層配線基板において、前記薄膜多層配線部2のボンディングパッド2aが、厚さ50〜 200nmの Cr-TiもしくはTiから成る接着層,厚さ 2〜 5μm のCu層,厚さ 2〜 5μm のNi層,および厚さ 0.5〜 3μm のAu層の積層として形成され、かつポリイミド樹脂系絶縁層の総厚を20〜90μm に設定して成ることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

支持基板主面上に一体的に形成・配置された導体配線層およびポリイミド樹脂系絶縁層を交互に積層し、かつ上面の所定箇所にボンディングパッドが形設・配置された薄膜多層配線部を具備して成る薄膜多層配線基板において、前記薄膜多層配線部のボンディングパッドが、厚さ50〜 200nmの Cr-TiもしくはTiから成る接着層,厚さ 2〜 5μm のCu層,厚さ 2〜 5μm のNi層,および厚さ 0.5〜 3μm のAu層の積層に形成され、かつポリイミド樹脂系絶縁層の総厚を20〜90μm に設定して成ることを特徴とする薄膜多層配線基板。

IPC (4件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/24

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215697   出願人：日本電気株式会社