イオンドーピング装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大岩増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230965
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082267
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】処理中のガラス基板の表面温度を一定に保ち、処理の安定性および再現性が得られるイオンドーピング装置を得る。【解決手段】処理室内に設置された赤外線モニタ9によってガラス基板1の表面温度を複数箇所測定し、その検出結果をターゲットの温度調整器10にフィードバックする。ガラス基板1表面の温度上昇を検出した場合には、冷却水の熱交換器であるチラー11の設定温度を下げる等して、ターゲット2の表面温度を抑制し、ガラス基板1の表面温度を一定に保つ。また、ガラス基板1の裏面温度を熱電対等の温度測定器12でモニターし、ターゲット2の温度調整器10にフィードバックする

請求項（抜粋）：

ガスの導入手段、イオンの生成手段および加速手段を有し、内部を真空に保つ処理室、上記処理室内に設置され、上記イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保持部、上記被処理体の表面温度を検出する温度センサ、上記保持部を加熱または冷却する手段、上記温度センサの検出結果に基づいて上記加熱または冷却手段を駆動し、上記被処理体の表面温度を目標温度に制御するコントローラを備えたことを特徴とするイオンドーピング装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01J 37/317 Z , H01L 21/265 D , H01L 21/265 T

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-192644
特開平4-177827
特開平4-246822

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