特許
J-GLOBAL ID：200903071695105312
イオン注入方法およびイオン注入装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121350
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333530
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 イオンビ-ムの経路に設置した金属板等から放出される二次電子を用いて、イオン注入時の絶縁体等試料の電位上昇を防ぐようにする。【構成】 真空容器1内の試料支持部材2にガラス基板3を設置し、イオンビ-ム発生装置4から発生させた正イオンビ-ム5の一部を二次電子放出材料物体6に照射しながらガラス基板3へイオン注入を行う。二次電子放出材料物体6へのイオンビ-ム照射で二次電子7が放出され、正イオンビ-ム5によるガラス基板3の蓄積電荷を中和する。【効果】 イオン注入時の絶縁体等試料の帯電を抑制できるので、絶縁体等試料の帯電によるイオン加速電圧の阻害効果がなくイオン注入を行うことができる。特に、100mA級イオンビームの帯電抑制も可能である。
請求項（抜粋）：
イオンビ-ムを用いて少なくとも表面が絶縁体である被処理物体にイオンを注入する方法において、該被処理物体の近傍に設置した二次電子放出材料物体に該イオンビームの一部を照射すること、または該イオンビームとは別個のイオンビームを用いて二次電子放出材料物体を照射することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (2件)：
H01J 37/317
, H01L 21/265
