特許
J-GLOBAL ID：200903004873643812
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-141558
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121450
出願日： 1991年06月13日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】高速かつ低消費電力のnチャネル電界効果トランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供すること。【構成】Si<SB>1-</SB>xGex(0.7≦x≦0.85)混晶を基板とし、Ge又はSi<SB>1-z</SB>Ge<SB>z</SB>(0.9≦z<1)混晶のチャネル層と、その上に設けられたSi<SB>1-y</SB>Ge<SB>y</SB>(0.7≦y≦0.85)混晶層を有するnチャネル電界効果トランジスタを有する半導体装置。これらの層はエピタキシャル成長させて製造する。【効果】Ge層における高速な電子移動度を有効に利用でき、高速に作動する。
請求項（抜粋）：
Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>(ただしxは0.7≦x≦0.85の範囲の値である)混晶からなる基板並びに該基板上に設けられたGe又はSi<SB>1-z</SB>Ge<SB>z</SB>(ただしzは0.9≦z<1の範囲の値である)混晶からなるチャネル層、該チャネル層上に設けられた、Si<SB>1-y</SB>Ge<SB>y</SB>(ただしyは0.7≦y≦0.85の範囲の値である)混晶層及び該チャネル層にチャネルを形成するために設けられたゲート電極より構成されるnチャネル電界効果トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
