特許

J-GLOBAL ID：200903004895504000

シリコンウエーハの清浄化方法

発明者： 村岡 久志 ,  太田 嘉治 ,  深澤 雄二
出願人/特許権者： 株式会社ピュアレックス ,  野村マイクロ・サイエンス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068162
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264498
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウエーハ上の残存微粒子を低減し、自然酸化膜を残した状態で自然酸化膜中に捕捉された各種金属を含む汚染物質をデバイスの不良化を起こさない範囲にまで除去し、その自然酸化膜を保護膜としてシリコンウエーハを直接プロセス装置に導入可能とする半導体シリコンウエーハの製造プロセス及び半導体デバイス製造プロセスにおけるシリコンウエーハの清浄化方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコンウエーハを過酸化水素を含有する洗浄液で洗浄して清浄な自然酸化膜を形成させ、その後、オゾンとフッ酸を添加した超純水からなるリンス液によるリンスを行い、自然酸化膜を残した状態で自然酸化膜中に捕捉された各種金属を含む汚染物質をデバイスの不良化を起こさない範囲にまで除去する。

請求項（抜粋）：

過酸化水素を含有する洗浄液で洗浄し、次いで形成された自然酸化膜を完全に溶解しない濃度のオゾンとフッ酸を含有する超純水からなるリンス液によりリンスする工程を含むことを特徴とするシリコンウエーハの清浄化方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C11D 7/18 ,  C11D 7/60 ,  C11D 7:18 ,  C11D 7:06 ,  C11D 7:08

FI (4件)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 M ,  C11D 7/18 ,  C11D 7/60

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-144131
  
• 特開平4-103124
  
• シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-203023   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社