特許

J-GLOBAL ID：200903076380090270

シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液

発明者： 上村 賢一 ,  島ノ江 憲剛 ,  佐近 正 ,  宗平 修二 ,  小倉 豊史 ,  田中 治樹
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 井上 雅生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203023
公開番号（公開出願番号）：特開平8-048996
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 本発明はシリコン半導体、半導体デバイスの製造において高精度な製品を提供する。【構成】 金属汚染および付着粒子を著しく低減できる洗浄液であり、0.001モル/リットル〜1.00モル/リットル未満の弗酸および0.05モル/リットル以上〜0.25モル/リットル未満の弗化アンモニウムを含む水溶液のpHが1.5以上7.0未満であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

0.001モル/リットル〜1.00モル/リットル未満の弗酸および0.05モル/リットル以上〜0.25モル/リットル未満の弗化アンモニウムを含む水溶液のpHが1.5以上7.0未満であることを特徴とするシリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液。

IPC (4件)：

C11D 7/06 ,  C23G 1/00 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ウエハの洗浄処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-143859   出願人：川崎製鉄株式会社
• 洗浄組成物及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-069856   出願人：三菱化学株式会社