特許
J-GLOBAL ID:200903004901284777
レーザ加工方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-093197
公開番号(公開出願番号):特開2003-001457
出願日: 2001年09月13日
公開日(公表日): 2003年01月08日
要約:
【要約】【課題】 加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができるレーザ加工方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係るレーザ加工方法は、レーザ加工装置100の載置台107上に加工対象物1を載置する工程と、レーザ加工装置100の観察用光源117から出射される照明光で加工対象物1の表面3を照射し、その反射光をレーザ加工装置100の撮像素子121により撮像し、撮像データに基づいて照明光の焦点が表面3上に位置するように載置台107を移動させた後に、レーザ光Lの集光点Pが加工対象物1の内部に位置するように載置台107を所定量移動させる工程と、レーザ光Lを照射し、加工対象物1の切断予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に改質領域を形成する工程とを備えることを特徴とする。
請求項(抜粋):
レーザ加工装置の載置台上に加工対象物を載置する工程と、前記レーザ加工装置の観察用光源から出射される照明光で前記加工対象物の表面を照射し、その反射光を前記レーザ加工装置の撮像手段により撮像して撮像データを取得し、前記撮像データに基づいて前記観察用光源から出射される照明光の焦点が前記加工対象物の表面上に位置するように前記載置台を移動させた後に、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように前記載置台を所定量移動させる工程と、前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成する工程と、を備えるレーザ加工方法。
IPC (9件):
B23K 26/00 320
, B23K 26/00
, B23K 26/02
, B23K 26/04
, B28D 5/00
, C03B 33/037
, C03B 33/09
, H01L 21/301
, B23K101:40
FI (9件):
B23K 26/00 320 E
, B23K 26/00 D
, B23K 26/02 C
, B23K 26/04 C
, B28D 5/00 Z
, C03B 33/037
, C03B 33/09
, B23K101:40
, H01L 21/78 B
Fターム (25件):
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069BB02
, 3C069BB03
, 3C069BB04
, 3C069CA05
, 3C069CA11
, 3C069EA02
, 3C069EA05
, 4E068AA01
, 4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CA09
, 4E068CA11
, 4E068CB09
, 4E068CC02
, 4E068CE04
, 4E068DA10
, 4E068DA11
, 4G015FA03
, 4G015FB01
, 4G015FC01
, 4G015FC07
, 4G015FC14
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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窒化物半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-328665
出願人:日亜化学工業株式会社
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特開昭63-278692
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特開昭63-278692
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