特許
J-GLOBAL ID：200903025268841812
窒化物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328665
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163403
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード更には、高温においても駆動可能な3-5族半導体素子の製造方法に係わり、特に、歩留まりよく基板上に形成された窒化物半導体素子を分離可能な窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法であり、特に半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し第1の主面(111)側及び/又は第2の主面(121)側からレーザーを半導体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも基板(101)の第2の主面(121)側及び/又は基板(101)の第1の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と、スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法であって、前記半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し該第1の主面(111)側及び/又は第2の主面(121)側からレーザーを前記半導体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも前記基板(101)の第2の主面(121)側及び/又は前記基板(101)の第1の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と、前記スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/78 L
