欠陥検査方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-386253
公開番号（公開出願番号）：特開2002-277404
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】半導体の製造工程に代表されるようにパターンの微細化が進んでいる。微細パターン部においては光学像のモジュレーションが小さいため、従来の光学系では微細パターン部の欠陥検査感度が不足している。このためには、微細パターン部のモジュレーション向上が必要である。【解決手段】同軸落射明視野照明光学系を用いて、試料を正反射した0次光の透過率を変更して試料の光学像を形成し、イメージセンサで撮像することにより、疎・密パターン部共にモジュレーションの高い試料の画像を得る。さらに、0次光の透過率を変更した条件で試料の光学像を複数回検出し、検出した画像の画質を評価し、欠陥検出感度が最大となる0次光検出率を求めることにより、光学条件出しの自動化による短時間設定を可能とする。

請求項（抜粋）：

欠陥を検査する方法であって、光学系を介して試料を撮像することにより試料の画像信号を得る第1の撮像ステップと、該第1の撮像ステップによって得られる画像信号における前記試料の複数位置に対応する個所での明るさ或いはパターンのモジュレーションの差が小さくなるように前記光学系の光学条件を調整する調整ステップと、該調整ステップによって光学系の光学条件を調整した状態で前記光学系を介して試料を撮像することにより光学条件を調整した試料の画像信号を得る第2の撮像ステップと、該第2の撮像ステップによって得られる光学条件を調整した試料の画像信号を処理して試料の欠陥を検出する欠陥検出ステップとを有することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (3件)：

G01N 21/956 , G01B 11/30 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 21/956 A , G01B 11/30 Z , H01L 21/66 J

Fターム (53件)：

2F065AA49 , 2F065BB02 , 2F065BB17 , 2F065BB18 , 2F065BB25 , 2F065CC17 , 2F065DD04 , 2F065DD11 , 2F065FF04 , 2F065FF41 , 2F065FF48 , 2F065GG02 , 2F065GG03 , 2F065GG05 , 2F065GG06 , 2F065HH04 , 2F065HH17 , 2F065JJ03 , 2F065JJ05 , 2F065JJ26 , 2F065LL31 , 2F065LL35 , 2F065LL36 , 2F065LL37 , 2F065NN05 , 2F065NN17 , 2F065PP12 , 2F065PP13 , 2F065QQ13 , 2F065QQ16 , 2F065QQ24 , 2F065QQ25 , 2F065QQ29 , 2F065QQ31 , 2G051AA51 , 2G051AB07 , 2G051BB11 , 2G051CA04 , 2G051CB01 , 2G051CC11 , 2G051DA07 , 2G051EA08 , 2G051EA12 , 2G051EA14 , 2G051EA16 , 2G051ED07 , 2G051ED14 , 2G051ED21 , 4M106AA01 , 4M106BA06 , 4M106CA39 , 4M106CA41 , 4M106DB04

引用特許：

審査官引用 (1件)

試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-263149 出願人：株式会社日立製作所

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