特許
J-GLOBAL ID：200903004978086005
薄膜誘電体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-243829
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093029
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 Si基板上に下部電極を介して配向成長させた強誘電体薄膜を有する薄膜誘電体素子において、拡散しやすい低融点金属である鉛やビスマスを使用せずに、強誘電体薄膜に十分高いキュリー温度と残留分極量を持たせることが課題とされている。【解決手段】 Si基板1上に、例えば第4周期の遷移金属やランタン系列の希土類金属を 5〜60モル% の範囲で含有させ、立方晶系に換算したときの格子定数を 0.393nm未満と減少させたSrRuO3 等の導電性ペロブスカイト型酸化物からなる下部電極5を形成する。この下部電極5上に(Ba,Sr)TiO3 を主成分とするペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜6、および上部電極を順に積層形成して、薄膜誘電体素子4を構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に順に積層された下部電極、(Ba,Sr)TiO3を主成分とするペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜および上部電極を具備する薄膜誘電体素子において、前記下部電極は、立方晶系に換算したときの格子定数が 0.393nm未満の導電性ペロブスカイト型酸化物からなり、この下部電極上に前記誘電体薄膜が配向成長していることを特徴とする薄膜誘電体素子。
IPC (10件)：
H01L 27/10 451
, H01B 3/00
, H01G 4/33
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01B 3/00 F
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
