特許
J-GLOBAL ID:200903056681596446
キャパシタおよび半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-048220
公開番号(公開出願番号):特開平7-263635
出願日: 1994年03月18日
公開日(公表日): 1995年10月13日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 高誘電率酸化物をキャパシタとして成長するとき導電率を低下されず、下地半導体との良好なコンタクトが可能な下部電極を提供する。【構成】 Ru/(Srx Ca1-x )RuO3 の2層電極(4/5)を下部電極とし、その上にPZT,SrTiO3 などの酸化物高誘電体材料(6)を成長し、さらに上部電極(7)を成膜する。このキャパシタは特に半導体基板(1)上に作製するとき有効である。
請求項(抜粋):
金属ルテニウム層とその上の(Srx Ca1-x )RuO3 (式中、0≦x≦1)の層の積層構造からなる下部電極と、該下部電極上の酸化物高誘電体材料層と、該酸化物高誘電体材料層上の上部電極とから構成されることを特徴とするキャパシタ。
IPC (6件):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, C01G 55/00
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01G 4/33
FI (3件):
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
, H01G 4/06 102
引用特許:
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