特許
J-GLOBAL ID：200903004990475432

半導体装置の製造方法及びCCD固体撮像素子の製造方法

発明者：
和田 和司

和田 和司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-120355
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326736
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 CCD固体撮像素子のLDD構造の出力トランジスタを工程を増すことなく製造できるようにする。【構成】 出力トランジスタを一体に有するCCD固体撮像素子の製造方法において、半導体基体の主面上にゲート絶縁膜を介して出力トランジスタのゲート電極50と、CCD固体撮像素子における転送レジスタ部の電極47とを同時に形成する工程と、ゲート電極50及び転送電極47の形成後の酸化工程と、ドレイン領域形成部上のゲート電極側の酸化膜を一部残して他をエッチング処理し、ドレイン領域形成部上にゲート電極側を上記残した酸化膜で厚くした絶縁膜を形成する工程と、不純物イオン注入により出力トランジスタのソース領域63と厚い絶縁膜59下が低不純物濃度領域66とされたLDD構造のドレイン領域64を形成する工程を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基体の主面上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、ドレイン領域形成部上にゲート電極側を厚くした絶縁膜を形成する工程と、不純物イオン注入により、ソース領域と共に、上記厚い絶縁膜下が低不純物濃度とされたドレイン領域を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H01L 27/148 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 29/76 301 C ,  H01L 27/14 B ,  H01L 29/78 301 L
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開昭57-062566
  • 特開昭62-274665
  • 特開昭60-200572
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